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NTMFS5830NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
8000
7000
6000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
5000
6
4000
3000
4
Q gs
Q gd
2000
1000
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
2
0
0
10
20
30 40
50
60 70
80
V DS = 32 A
I D = 60 A
T J = 25 ° C
90 100 110 120
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
V DD = 20 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
175
150
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
125
100
t r
t f
t d(off)
t d(on)
100
75
50
25
10
1
10
100
0
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
100
10
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
1
V GS = 10 V
Single Pulse
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
0.01
0.1
Package Limit
1 10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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